НОВОСТИ

Январь (60) | Февраль (90) | Март (86) | Апрель (147) | Май (112) | Июнь (74) | Июль (69) | Август (50) | Сентябрь (80) | Октябрь (53)

Январь (48) | Февраль (82) | Март (105) | Апрель (144) | Май (125) | Июнь (88) | Июль (80) | Август (53) | Сентябрь (82) | Октябрь (104) | Ноябрь (119) | Декабрь (100)

Январь (43) | Февраль (56) | Март (71) | Апрель (95) | Май (91) | Июнь (62) | Июль (47) | Август (46) | Сентябрь (79) | Октябрь (93) | Ноябрь (140) | Декабрь (117)

Январь (31) | Февраль (61) | Март (89) | Апрель (102) | Май (85) | Июнь (93) | Июль (55) | Август (39) | Сентябрь (89) | Октябрь (74) | Ноябрь (81) | Декабрь (87)

Январь (53) | Февраль (97) | Март (76) | Апрель (91) | Май (66) | Июнь (60) | Июль (65) | Август (52) | Сентябрь (70) | Октябрь (84) | Ноябрь (75) | Декабрь (102)

Январь (35) | Февраль (70) | Март (83) | Апрель (121) | Май (87) | Июнь (57) | Июль (51) | Август (35) | Сентябрь (77) | Октябрь (110) | Ноябрь (110) | Декабрь (126)

Январь (49) | Февраль (70) | Март (82) | Апрель (113) | Май (97) | Июнь (72) | Июль (50) | Август (31) | Сентябрь (88) | Октябрь (85) | Ноябрь (103) | Декабрь (98)

Январь (35) | Февраль (64) | Март (93) | Апрель (109) | Май (115) | Июнь (64) | Июль (54) | Август (38) | Сентябрь (75) | Октябрь (88) | Ноябрь (107) | Декабрь (114)

Январь (38) | Февраль (68) | Март (99) | Апрель (115) | Май (88) | Июнь (77) | Июль (43) | Август (41) | Сентябрь (78) | Октябрь (99) | Ноябрь (127) | Декабрь (118)

Январь (38) | Февраль (69) | Март (117) | Апрель (127) | Май (102) | Июнь (76) | Июль (71) | Август (29) | Сентябрь (80) | Октябрь (107) | Ноябрь (116) | Декабрь (120)

Январь (43) | Февраль (56) | Март (94) | Апрель (95) | Май (75) | Июнь (77) | Июль (57) | Август (16) | Сентябрь (82) | Октябрь (105) | Ноябрь (78) | Декабрь (103)

Январь (32) | Февраль (36) | Март (55) | Апрель (78) | Май (63) | Июнь (44) | Июль (36) | Август (21) | Сентябрь (46) | Октябрь (82) | Ноябрь (91) | Декабрь (86)

Январь (26) | Февраль (50) | Март (41) | Апрель (75) | Май (45) | Июнь (46) | Июль (27) | Август (21) | Сентябрь (38) | Октябрь (53) | Ноябрь (57) | Декабрь (58)

Январь (9) | Февраль (39) | Март (44) | Апрель (53) | Май (68) | Июнь (37) | Июль (38) | Август (25) | Сентябрь (44) | Октябрь (39) | Ноябрь (54) | Декабрь (59)

Январь (15) | Февраль (25) | Март (38) | Апрель (38) | Май (45) | Июнь (20) | Июль (13) | Август (12) | Сентябрь (28) | Октябрь (36) | Ноябрь (40) | Декабрь (57)

Январь (23) | Февраль (35) | Март (38) | Апрель (41) | Май (51) | Июнь (20) | Июль (15) | Август (10) | Сентябрь (31) | Октябрь (41) | Ноябрь (46) | Декабрь (41)

Январь (10) | Февраль (33) | Март (37) | Апрель (60) | Май (51) | Июнь (30) | Июль (13) | Август (5) | Сентябрь (20) | Октябрь (44) | Ноябрь (36) | Декабрь (29)

Январь (4) | Февраль (17) | Март (30) | Апрель (35) | Май (33) | Июнь (22) | Июль (15) | Август (10) | Сентябрь (18) | Октябрь (45) | Ноябрь (48) | Декабрь (40)

Январь (12) | Февраль (12) | Март (28) | Апрель (36) | Май (36) | Июнь (17) | Июль (3) | Август (2) | Сентябрь (14) | Октябрь (24) | Ноябрь (22) | Декабрь (26)

Январь (20) | Февраль (22) | Март (26) | Апрель (35) | Май (33) | Июнь (16) | Июль (4) | Август (2) | Сентябрь (24) | Октябрь (22) | Ноябрь (22) | Декабрь (26)

Ученые ВГУ предлагают инновационный способ записи и воспроизведения информации

29.02.2016 16:09

Инновации, Наука / Просмотров: 5858

В настоящее время важной задачей в области спинтроники является разработка технологии изготовления структур, демонстрирующих спин-зависимые эффекты, которая была бы доступна  для практического применения и производства нового типа устройств памяти с более высоким быстродействием и плотностью записи информации. Спинтроника (англ. spin, буквально – вращение, вертеть) отражает магнитные свойства электрона, так же как электроника отражает наличие у электрона электрического заряда. Решение этой проблемы ведется в нескольких направлениях, среди которых можно выделить изготовление наноструктурированных структур на основе силицидов переходных металлов Sin-Mem, обеспечивающих эффект оптического перемагничивания.

Коллективом ученых Воронежского государственного университета в составе доцента Александра Лазарева, профессора Бориса Даринского, академика Александра Сигова, доцента Ларисы Битюцкой и ассистента Геворга Григоряна был разработан проект «Изготовление магнитных наноструктурированных материалов силицидов переходных металлов (Si-Me) с эффектом оптического перемагничивания для элементов памяти нового поколения». В его рамках были получены наноструктурированные пленки силицидов Sin-Mem, на поверхности Si, демонстрирующие магнитный отклик и эффект оптического перемагничивания, с помощью оригинального оптического зонда, также разработанного в ВГУ. Исследования в данном направлении ведутся учеными университета с 2008 года.

Предлагаемые магнитные наноструктурированные материалы с эффектом оптического перемагничивания предназначены для изготовления инновационных устройств для хранения и воспроизведения памяти. Одним из основных преимуществ данных устройств должно стать сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще не используемым в серийных устройствах. В сочетании с использованием оптического перемагничивания циркулярно-поляризованным светом, позволяющего уменьшить область воздействия оптического излучения до десятков нанометров, можно добиться от устройств с полностью оптической записью информации сверхвысокой плотности записи.

– Считается, что к 2020 году произойдет переход к новым элементам памяти на основе спинтронных устройств, так называемой MRAM – «Magnetic random access memory», что приведет к резкому изменению компьютерных устройств. Например, скорость доступа к такой памяти будет в тысячи раз больше, чем у нынешних элементов flash-памяти, а ресурс перезаписи – в сто тысяч раз больше. Поскольку в спинтронном устройстве для передачи информации используются магнитные свойства электронов, для их создания требуется разработка ферромагнитных полупроводников, свойствами которых можно управлять. В этой связи существующую проблему увеличения объема памяти, скорости функционирования элемента памяти микро- и наноэлектроники с одновременной миниатюризацией этих элементов в настоящее время связывают с необходимостью поиска новых материалов, методов записи/считывания информации, – комментирует Геворг Григорян, который успешно представил разработку на ежегодном межвузовском конкурсе инновационных проектов «Кубок инноваций».

Силициды – традиционный материал технологий кремниевой микро- и наноэлектроники. Основной задачей разработки является их получение в наноструктурированном состоянии, обеспечивающем возникновение магнитных свойств. Современные методы формирования нанокластерных структур не ориентированы на промышленное производство. В проекте предлагается использовать оригинальный метод получения нанокластеров силицидов никеля и кобальта на кремниевой подложке, обладающих магнитными свойствами. Продукт представляет собой магнитные наноструктурированные пленки (средний размер наноструктур ~50 нм) Si-Ni, Si-Co на кремниевой подложке диаметром до 100 мм, обладающие эффектом оптического перемагничивания. Научная новизна проекта заключается в том, что впервые в мире поставлена задача по получению и использованию наноструктурированных силицидов переходных металлов с магнитным откликом, установлен наиболее перспективный метод получения наноструктурированных силицидов переходных металлов на кремнии, впервые в мире реализована оптическая запись информации в наноструктурах Men-Sim-Si.

Разрабатываемый продукт ориентирован, прежде всего, на рынок наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти. Рынок микросистемной техники – это достаточно молодой рынок, далекий от насыщения. Это связано, в первую очередь, с внедрением достижений микросистемной техники, полученных в военно-космической отрасли, в автомобилестроение, компьютерную и бытовую технику. В настоящее время непрерывно расширяется сфера применения устройств микросистемной техники, снижается их себестоимость, улучшаются потребительские характеристики. Разработанная продукция использует экологически чистую технологию на основе энергосберегающего оборудования и безопасна в использовании. Производство данной продукции реализует создание высокотехнологичного промышленного комплекса в области наноиндустрии и наноматериалов в микро- и наноэлектронике.

Пресс-служба ВГУ  

Фотогалерея

ПОДРОБНО

При использовании материалов ссылка на сайт обязательна
© Воронежский государственный университет • 1997–2024

Вебмастер •  Пресс-служба •  Старый сайт
© Веб-лаборатория УЦИ ВГУ