НОВОСТИ

Февраль (6) | Март (9) | Апрель (12) | Май (11) | Июнь (8) | Июль (1) | Август (3) | Ноябрь (2) | Декабрь (1)

Январь (5) | Февраль (12) | Март (15) | Апрель (24) | Май (17) | Июнь (4) | Июль (5) | Август (6) | Сентябрь (10) | Октябрь (13) | Ноябрь (22) | Декабрь (11)

ПИШ ВГУ принимает участие в разработке GaN транзисторов

24.09.2025 14:26

Важное, Передовая инженерная школа, Форум / Просмотров: 662

С 21 по 27 сентября на площадке научно-технологического университета «Сириус» проходит форум «Микроэлектроника 2025».

В ходе работы форума Председатель Правительства РФ Михаил Владимирович Мишустин осмотрел продукцию отечественных компаний-производителей радиоэлектронной отрасли.

Среди ключевых разработок в докладе генерального директора НИИЭТ Павла Павловича Куцько М.В. Мишустину были упомянуты нитрид-галлиевые транзисторы. Это одна из новых и самых перспективных разработок современной радиоэлектроники. В частности, они используются в усилителях мощности, которые лежат в основе создания станций радиоэлектронной борьбы (РЭБ). Их производством занимаются промышленные предприятия совместно с Передовой инженерной школой ВГУ, которая была упомянута при докладе М.В. Мишустину.

Пресс-служба ВГУ
Фото: стоп-кадр из видеоролика
Пресс-службы Правительства России

Фотогалерея

ПОДРОБНО

При использовании материалов ссылка на сайт обязательна
© Воронежский государственный университет • 1997–2025