С 21 по 27 сентября на площадке научно-технологического университета «Сириус» проходит форум «Микроэлектроника 2025».
В ходе работы форума Председатель Правительства РФ Михаил Владимирович Мишустин осмотрел продукцию отечественных компаний-производителей радиоэлектронной отрасли.
Среди ключевых разработок в докладе генерального директора НИИЭТ Павла Павловича Куцько М.В. Мишустину были упомянуты нитрид-галлиевые транзисторы. Это одна из новых и самых перспективных разработок современной радиоэлектроники. В частности, они используются в усилителях мощности, которые лежат в основе создания станций радиоэлектронной борьбы (РЭБ). Их производством занимаются промышленные предприятия совместно с Передовой инженерной школой ВГУ, которая была упомянута при докладе М.В. Мишустину.
Пресс-служба ВГУ
Фото: стоп-кадр из видеоролика
Пресс-службы Правительства России



